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推出手机应用系列13MP分辨率1/3.06英寸图像传感器新品–SC130HS。SC130HS是思特威首颗基于SmartClarity-XL工艺平台打造的手机图像传感器。新品SC130HS采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载了SFCPixel?、PixGain HDR?等思特威先进成像技术和工艺，凭借高动态范围、高帧率、低噪声、低功耗等性能优势，可为高端智能手机前摄以及主流智能手机主摄带来出众的质感影像表现。
st半导体　　PIC32CZ CA MCU可通过多种连接选项进行配置，包括USART/UART、I2C、SPI、CAN FD、高速USB和千兆以太网。以太网连接选项包括音视频桥接 (AVB) 和基于IEEE 1588标准的时间协议 (PTP)。这些MCU采用100/144/176/208引脚TQFP和BGA封装，可通过2MB、4MB或8MB板载闪存、1MB SRAM和纠错码 (ECC) 存储器进行扩展，以减少数据损坏。
　　新款产品在现有 TAP1500 有源单端探头的基础上进行了改进，将原电缆延长了 5.7 米。TAP1500L 满足了工程师的一个重要需求：以更灵活、更安全的方式进行自动化测试。

Supermicro 的超大规模存储系统以及针对边缘和电信功能优化的服务器，（例如 Hyper-E 和短深度紧凑型系统）也将上市。在不久的未来将推出搭载 Intel Xeon 6900 系列处理器（配备 P-cores）的高性能系统。
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
st半导体　　Reno12系列搭载天玑星速版旗舰芯片，其中 Reno12 Pro 搭载天玑9200+星速版旗舰芯片，Reno12 搭载天玑8250星速版旗舰芯片，均融合全新星速引擎技术，为高帧率游戏能效迸发更出色表现。Reno12 系列的游戏温度较 iPhone 低至高 9 摄氏度，Reno12 Pro 运行荣耀时的功耗降低 12%，Reno12 系列运行逆水寒时的平均功耗节省 20%。
另外，由于采用了片上高自有电容的设计，此产品可有效支持小天线设计的实现，为客户在物料上的降本增效及产品空间规划上要求提供助力。
　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。

　　日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。
st半导体　　多年来，英特尔以产品技术创新为抓手，聚焦中国数据中心市场需求，为广大用户打造高效、节能的新型数据中心提供了坚定的支持。
　　据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。
　　NVIDIA 存储技术副总裁 Rob Davis 表示：“提升数据中心在 AI 工作负载下的效率和性能，对于降低成本并确保全球企业的运营可靠性至关重要。通过集成 NVIDIA 技术，美光 9550 SSD 能够为 AI 提供强大的存储支持。”