ti芯片系列

推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
ti芯片系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。
　　NORA-W4采用紧凑型封装，不易受到设备尺寸的限制。此模块与其他u-blox NORA系列模块兼容，这便于未来技术迁移，例如从Wi-Fi 4过渡到Wi-Fi 6。此外，NORA-W4模块还配备了增强的安全功能，包括安全启动、可信执行环境和闪存加密等。

　　采用全新 Intel Xeon 6 处理器的 Supermicro X14 系统具有 E-core 和 P-core 版本之间的引脚兼容性。当前和未来的 Supermicro 系统的特点是，每个节点多达 576 个核心、高达 8800 MT/s 的 DDR5-6400 和 MCR DIMM、CXL 2.0、更广泛的 E1.S 和 E3.S 支持以及高达 400G 的网络支持。
　　Pasternack 1.0 mm 无源同轴组件均是现货库存且品类齐全，并且这些器件采用坚固的机械设计，确保了的信号相互作用，同时提供低插入损耗和优异的回波损耗特性。
ti芯片系列　　RZ/V2H处理器采用功率效率达10 TOPS/W的Renesas专有DRP（动态可重新设定处理器）-AI3 AI加速器。此外，该处理器还集成了四个Arm? Cortex?-A55 CPU核心，工作频率为1.8 GHz，是专为Linux应用处理而量身定制的。为实现高效能实时处理，该处理器采用了两个800 MHz运行频率的Cortex-R8核心和一个作为子核心运行的Cortex-M33核心。该装置将这些核心集成到单个芯片中，可有效地管理视觉AI和实时控制任务，成为要求苛刻的机器人应用的理想选择。
　　相较于分立式设计，IHB架构可减少50%的元件数量和30%的PCB空间。新IC还能使逆变器进入睡眠模式，将驱动器功耗降至10mW以下。这意味着在规定的待机功耗限值下，可以为实现网络接入和监控等功能的电路负载提供更多宝贵的功率。
　　BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10×10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。

　　作为一款64位商业级RISC-V处理器内核，Dubhe-70采用9+级流水线、三发射、超标量、乱序执行设计，支持丰富的RISC-V指令集——RV64GCBH。Dubhe-70 SPECint2006 7.2/GHz，性能对标Arm Cortex-A72/A510。
ti芯片系列　　与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 H，额定电流达70 mA。
　　如今，随着新一代Galaxy Z系列产品的惊艳亮相，三星再次展现了其在移动科技创新领域的领先地位。Galaxy Z系列不仅继承了三星在折叠屏技术上的深厚积累，更将实用性与灵活性完美结合，与AI技术深度融合，开创了一系列前所未有的移动体验，为Galaxy AI的发展翻开了崭新的一页。
　　此次京瓷新开发的半导体制冷模块,相比以往产品,吸热量※1提升了21%,冷却性能增强。该产品主要应用于汽车电池和座椅的温度调节,此次冷却性能的提升,有助于延长电池的使用寿命。