罗姆芯片

于此同时，在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。
罗姆芯片　　这一设计优势对于逆变器系统设计人员来说，具有重要意义。紧凑的单板设计不仅简化了安装过程，还为系统布局提供了更大的灵活性，有助于缩短开发周期，降低生产成本。
新产品除了采用和支持第 6 代玻璃基板的“MPAsp-E813H”一样的每块面板多点同时测量的对位方式（既保证了生产效率也实现了高精度曝光），还搭载了新开发的非线性补正 REI（Real-Time Equalizing distorted Image）模块，从而使其即使曝光幅度扩大也能实现 ±0.30μm 高套刻精度。

　　800V电动汽车电池架构的革新，正引领着汽车行业迈向前所未有的续航里程与极速充电的新纪元，其应用范畴已远远超越电动巴士与卡车的界限，这一技术飞跃为用户带来前所未有的便捷体验。随着技术的不断成熟与普及，800V电池架构在乘用车领域的普及势头愈发强劲，正逐步成为推动汽车行业绿色转型与智能化升级的重要驱动力。
　　HAL/HAR 3936 符合 ISO 26262:2018 标准的 SEooC（独立安全单元）ASIL C 级，确保与 ASIL D 级的汽车安全要求兼容。该传感器专为在恶劣环境中运行而设计，在 -40℃ 至 +150℃ 的环境温度范围内完美运行，适合汽车和工业应用场景。
罗姆芯片　　Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压器具有更大优势。
　　新的VELVET SOUND技术提高了产品电气性能和稳定性，相比上一代AK4490和AK4493，以更低的功耗实现了丰富的“信息量”和“跃动感”。
　　RG255C-GL符合3GPP R17标准，支持5G Sub-6独立组网（SA）模式和LTE Cat 4网络，并兼容 Rel-15(SA) 和 Rel-16(SA) 网络，可很好地满足无缝集成和灵活部署的需求。该模组支持高达223 Mbps的下行速率和123 Mbps的上行速率，非常适合CPE、MiFi、路由器、网关、定位器及工业PDA等应用。

DRV7308基于 GaN 技术，具有高功率密度；采用 12mm x 12mm 封装，使之成为面向 150W 至 250W 电机驱动器应用的业界超小型 IPM。在效率的加持下，DRV7308 无需外部散热器，与同类 IPM 解决方案相比，电机驱动逆变器印刷电路板 (PCB) 的尺寸可缩减55%。
罗姆芯片　　全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ，可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。
这些模块具有 2k VDC/1 min 功能型隔离（对于 REC10K 系列，则为 1.6k VDC/1 min），符合 IEC/EN/UL62368-1 标准，降额时可在 -40°C 至 +105°C 的环境温度下工作（ REC10K 降额时的工作温度范围为 -40°C 至 100°C）。使用规格书中指定的外部滤波器，传导 EMC 可以符合“A 级和 B 级”水平。
　　Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达 5,600 MT/s。