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企业级SATA SSD UM311b采用SATA III 6Gb/s接口，提供向下兼容3Gb/s和1.5Gb/s端口速率，同时搭载3D TLC闪存介质，提供480G、960G、1.92T、3.84T多种容量选择，满足用户不同业务的存储需求。
瑞萨　　SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。
　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。

　　MicroSpace高压连接器专为抵御极端恶劣的使用环境和条件而研发，具有可靠性且经久耐用。该系列连接器具有高达4N的抗震法向力和超过75N的锁紧力，可以在具有高水平抗震要求的应用场景中发挥出色性能，确保在极具挑战性的使用环境中实现不间断连接。
　　此次发布的三星Galaxy Watch Ultra为追求卓越运动表现而生，采用无表耳系统与缓冲设计的钛金属机身，并支持10ATM防水等级，可通过超高耐用性助力用户超越极限。
瑞萨　　德州仪器 Kilby Labs 电源管理研发总监 Jeff Morroni 表示：“设计人员采用电源模块，是为了节省时间、降低复杂性、缩小尺寸并减少元件数量，但之前需要在性能上做出妥协。经过近十年的努力，德州仪器推出了集成磁性封装技术，可助力电源设计人员适应重塑行业格局的电源发展趋势，即在更小的空间内高效地提供更大的输出功率。”
　　全新推出的IPM01系列产品采用磁导率极高的坡莫合金制成薄膜片，与传统屏蔽材料和金属屏蔽相比，能够更有效地抑制低频带噪声，同时减轻汽车的重量。与传统的TDK 产品相较而言，新系列产品的厚度减少了约80%，重量减轻了约90%，屏蔽效果提高了65% [@1MHz]。
　　Reno12系列还为游戏体验带来多项全新升级。Reno12 系列搭载 OPPO 的浓缩内存技术，显著提升应用启动速度和后台保留能力。Reno12 系列提供 16GB 内存与 512GB 存储，配合LPDDR5X 与 UFS3.1 组成的超速大内存组合，让流畅加倍。

英飞凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。
瑞萨　　GL7004采用10bit ADC设计，通过12对Sub-LVDS接口进行数据传输，单线行频可达250kHz，可满足绝大部分高速工业检测应用。
采用SGeT协会SMARC2.1标准，集成瑞芯微全新一代AIOT旗舰处理器RK3588/RK3588J，具备强大的计算性能，高AI算力，满足多媒体处理需求。凭借低功耗，丰富的IO接口设计，ROM-6881实现高性价比、工规可靠、10年生命周期支持，助力机器人，医疗，能源行业打造更快速，更高效的智能边缘AI方案。
ACS37030/2 在市场上开创先河，既能提供足够快的响应速度来实现高速 SiC 和 GaN 保护，又能为电源转换控制提供良好低频输出。现在设计人员能够更好地利用GaN和SiC架构，并减少系统占用空间。