微芯片

　　与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 H，额定电流达70 mA。
微芯片　　这些改进使得KR2002-Q06N5AA在使用单个锂离子电池时，就能达到与传统2节锂离子电池（7.2V）驱动打印头相同的打印速度和质量。与现有的单电池驱动热打印头相比，KR2002-Q06N5AA将打印所需的应用能量降低了约30%，实现了更高的能源效率，同时减小了热敏打印机设备的尺寸和重量。
随着车载通信网络复杂性的不断增加，当前主流的CAN FD可能在多节点、长距离高速数据传输时，出现信号通信故障，为了确保通信的稳定性和可靠性，额定速率5Mbps的CAN FD实际使用速率往往被限制在2Mbps以下，为了突破速率限制，信号改善功能的引入变得尤为重要。

两款新产品的工作频率是60GHz V波段，提供eUSB2、I2C、SPI、UART和GPIO信号接口直连。，同时，低功耗特性还能保护电池续航性能。两款新产品的工作频率是60GHz V波段，提供eUSB2、I2C、SPI、UART和GPIO隧道 信号接口直连。
美光科技股份有限公司宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上，美光相关产品负责人对两款产品的技术参数进行了介绍，并称，9550 SSD基于NVIDIA H100 GPU平台，针对AI工作负载进行了优化，特别考虑了采用大型加速器内存（BaM）进行图神经网络（GNN）训练。
微芯片新型封装是我们战略的一部分，为了使客户将我们的 ICeGaN 产品系列 GaN 功率 IC 用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，获得它们带来的更高的功率密度和效率优势。这些应用不仅对设备的要求更高、同时要求设备坚固可靠、易于设计。新型封装支持并扩展了ICeGaN 产品系列的这些固有特性。
　　MA35H0 系列包含两个 64/32 位 Arm Cortex-A35 内核，时钟速度高达 650 MHz。除了每个内核 32 KB 的 L1 缓存和 512 KB 的 L2 缓存外，MPU 还包括 128 MB 内部 DDR SDRAM，通过在 24 mm2 封装中引入更多内存，消除了对专用外部存储器的需求，这使得 MPU 非常适合计算密集型应用。
　　该40GHz固定射频衰减器通过降低射频功率来保护测量设备和其他电路。衰减器增加了功率计和放大器的范围，并且由于其相邻射频组件所看到的低VSWR，因此能够实现阻抗匹配电路。

　　凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。
微芯片用户可以在非隔离式降压转换器电路中体验使用LogiCoA?电源解决方案的效果。在ROHM官网上还公布了评估所需的电路图、PCB布局、元器件清单、示例软件和支持文档等各种工具，通过使用ROHM提供的参考板“LogiCoA001-EVK-001”，可评估在实际应用产品中的使用效果。
　　凭借数十年的经验和创新技术，以及 200 多款针对电源设计或应用提供优化封装类型的器件组合，德州仪器的电源模块可帮助设计人员进一步推动电源发展。
与现有Pickering产品或其他品牌同类型PXI/PXIe产品相比，我们的新型4x-321高压多路复用器系列提供了两倍的开关有效载荷，可提供单刀或双刀形式和多达48通道的一系列产品。得益于使用Pickering公司生产的高质量舌簧继电器，新产品适用于10W下高达1KV的冷热切换，载流为1.25A。安全也通过硬件互锁得到保证。