英飞凌代理商

sailingsi发布

NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品,以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC,支持PCIe Gen3x4接口,采用行业标准的M.2 1620(16 x 20mm,291球)BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息,请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。
英飞凌代理商  Rust编程语言凭借其独特的内存安全特性,已经成为汽车软件开发中C/C++的有效补充和潜在替代品。全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与HighTec EDV-Systeme等合作伙伴携手,进一步扩展了其AURIX?微控制器的Rust生态系统。
该系列经过严格测试,成为光伏装置、电源、低至中等风险的医疗设备**、暖通空调、照明以及符合 IEC 62368-1 标准的设备等应用的理想选择。
英飞凌代理商
  Embedded+ 集成计算平台经过 AMD 验证,可助力 ODM 客户缩短和构建时间以便更快进入市场,而无需耗费额外的硬件和研发资源。采用 Embedded+ 架构的 ODM 集成支持使用通用软件平台开发低功耗、小尺寸规格及长生命周期的设计,适用于医疗、工业以及汽车应用。
  嵌入式安全被认为是物联网(IoT)应用部署的一个重要属性。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布,其新型PSOC? Edge E8x MCU产品系列的设计达到嵌入式安全框架——平台安全架构(PSA Certified)计划中的级别。为了满足PSA 4级的要求,所有PSOC? Edge E8x微控制器均采用具有安全启动、密钥存储和加密操作功能的片上硬件隔离飞地。
英飞凌代理商  常见的电源噪声对策是在电源噪声的传播路径——电源线和GND之间配置电容器,从而将噪声释放到GND。该对策方法的噪声消除性能随着所使用的电容器的阻抗降低而提高。但是,在谐波区域,电容器内部有作为电感器工作的寄生分量 (被称为ESL),它会导致阻抗增加,所以会降低噪声消除性能。
  随着工业边缘计算场景的丰富,智能化设备、机器人、自动驾驶等应用对端侧算力的需求快速增长,传统工业级嵌入式处理器在处理能力、实时响应速度和多任务处理等方面已显示出局限性,无法满足这些新兴应用对高性能计算的需求。
  电动汽车的发展带来了更加复杂且多元化的汽车电子系统,汽车各个模块之间的通讯也越来越频繁和密集。随着智能座舱主控芯片5nm工艺节点的成熟量产,更先进工艺制程的4nm甚至3nm平台芯片已问世,更先进的工艺意味着数字接口的电平越来越低,而平台外部模块的端口电平暂不支持低压接口,会存在IO电平不兼容的问题,对于信号的传输及通讯往往需要电平转换来实现。
英飞凌代理商
  此次,三星将前沿AI技术拓展至智能穿戴领域,进一步与用户生活紧密结合。用户通过三星Galaxy Ring、Galaxy Watch7、Galaxy Watch Ultra、以及Galaxy Buds3系列畅享健康生活与个性化音频体验。
英飞凌代理商与同系列中的工业级产品一样,车规级 CoolMOS? S7TA 尤其适合固态继电器(SSR)应用。它具有出色的RDS(on) 和传感精度,这对于依赖高效功率管理解决方案的各种汽车电子设备至关重要。超级结MOSFET与嵌入式温度传感器集成在同一封装中,提高了固态继电器的性能,即便在非常严峻的过载条件下也能可靠运行,这对于可靠性要求极高的汽车应用来说是必要的。
  此外,HatDrive AI是另一款引人注目的新配件。它在类似HatDrive Dual的布局下,为机器学习和人工智能工作负载提供了优化。其主板的第二个M.2插槽支持Google Cora Edge TPU加速器板,这使得设备在处理复杂的机器学习任务时,能够实现高速存储和改进的性能。
  凭借 10V 栅极驱动器,该公司声称第 8 代的栅极电荷比其 CFD7 MOSFET 低 18%,比 P7 低 33%。“在400V电压下,该产品系列的输出电容比CFD7和P7低50%,”它补充说。“与CFD7相比,[CFD7和P7]的关断损耗降低了12%,反向恢复费用降低了3%。”

分类: 赛灵思芯片