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万物电气化推动了碳化硅 (SiC)技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出采用Augmented Switching技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC?栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置,开箱即用,可显著缩短设计和评估时间。
adi产品 第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布为其的第三代快速碳化硅(G3F)MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品,能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
我们很自豪地推出能量平衡计算器,强调我们致力于帮助工程师提高系统效率和减少电池浪费的承诺。该工具使工程师能够做出明智的决策,确保我们的能量采集解决方案得到充分利用,延长电子设备的使用寿命。
Bourns 2027-A 系列提供 75 V – 600 V 的击穿电压,具备高浪涌电流额定值和卓越的绝缘电阻,同时其工作温度范围宽广,从 -40 °C 到 +125 °C,确保在极端温度环境下的优异表现。凭借其强大的浪涌承受能力,Bourns 的 GDT 能够有效抵御高能量瞬态,保护敏感电子设备免受损害。这些新组件设计上注重耐用性,确保在设备使用生命周期内保持稳定的性能,从而显著降低维护和更换成本。
该系列依托浪潮信息自研分布式文件系统,搭载新一代数据加速引擎DataTurbo,通过盘控协同、GPU直访存储、全局一致性缓存等技术为AI大模型数据归集、训练、数据归档与管理等阶段提供强大存储支撑能力,助力用户加速大模型系统的创新及应用落地。
adi产品提升图像传感器性能,逐渐弥合主摄像头和副摄像头之间的差距,从而在全角度提供一致的摄影体验,这已成为行业发展的新方向。”三星电子执行副总裁兼系统LSI传感器业务团队技术官Jesuk Lee表示,”我们将持续通过集成三星技术进展的图像传感器产品阵容,不断打破技术壁垒,并推进新的行业标准。
立芯光电以高端半导体激光芯片的设计、研发和制造为核心竞争力,可根据客户需求提供定制化产品及解决方案,快速响应客户需求,持续为客户提供高功率、高可靠性、高性价比的激光芯片。
目前,行业内广泛使用的激光测距系统(LDS)虽高效,但机械旋转部件的高速运动容易出现故障,且LDS模组和避障模组组合体积太大,占用有限的空间,使得终端产品体型笨重,无法清洁到位,这是扫地机器人常见的技术弱点。此外,多路径干扰(MPI)、杂散光和动态范围的处理也同样是行业中普遍面临的挑战。
“LPDDR5X DRAM在具备卓越的移动端低功耗性能的同时,还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能,为高性能端侧AI解决方案树立了新标准。”三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongCheol Bae表示。“三星将持之以恒地与客户密切合作,不断创新,提供能够满足符合时代的低功耗DRAM解决方案。
adi产品OPTIGA Authenticate NBT通过使用NFC(近场通信)技术,为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利,实现该场景下,对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。
更值得一提的是,为了进一步帮助客户简化设计流程,移远通信提供了各种高性能配套天线,以高度的灵活性和兼容性满足不同项目的要求,大大提高了无线连接的质量与速率。同时,客户还可以将移远的模组与对应的天线和预服务相结合,从而帮助其降低物联网设备的成本投入与上市时间。
此外,新型坡莫合金材质的应用场景不仅限于汽车市场。随着电子设备的小型化、纤薄化和多功能化水平越来越高,对于智能手机等设备而言,噪声抑制的作用变得越来越重要。通过使用 TDK 开发的坡莫合金片,可以在将产品厚度减少到传统产品厚度五分之一的同时,实现噪声抑制效果。