美台diodes
H4010 采用高端电流模式的环路控制原理,实现了快速的动态响应。 H4010 工作开关频率为 170kHz,具有良好的 EMI 特性。H4010采用ESOP-8 封装,芯片底部设计有功率散热焊盘与SW管脚连接,可以有效的帮助芯片散热。
美台diodes 意法半导体推出了TSB952双运算放大器 (运放)。新产品具有52MHz的增益带宽,在36V电压时,电源电流每通道仅为3.3mA,为注重功耗的设计带来高性能。
针对IP数据/安全问题,MAX32690提供一个加密工具箱 (CTB),其中包含用于快速椭圆曲线数字签名算法 (ECDSA) 的模块化算术加速器 (MAA)、加密标准 (AES) 引擎、TRNG、SHA-256哈希和安全引导加载程序。另外还包含两个四通道SPI片内执行(SPIXF和SPIXR)接口(每个接口的容量高达512MB),用于在片外扩展内部代码和SRAM空间。
在设计线性 LED 驱动器时,耐热性是一个重要的考虑因素。因此,AL1783Q 产品采用高热效率的 TSSOP-16EP 封装,该封装具备外露散热焊盘,具有出色的散热效果。为提高系统层级的可靠性,AL1783Q 具备包括欠压锁定 (UVLO) 和过压保护 (OVP) 等多种故障检测功能,以及检测 LED 开路和短路状况的能力。
作为 VCSEL+SPAD 激光雷达技术路线的先行者,识光形成了独有的从激光雷达系统视角定义并优化 SPAD-SoC 芯片架构的能力,确保了 SQ100 从客户需求出发,切实解决实际问题、完成商业落地。
美台diodes SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压,可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择,仅器件选型就可以让用户优化应用设计,通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压,可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管,避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑,引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。
这款防篡改安全控制器可轻松集成到系统中,执行与安全相关的功能并为敏感数据和加密操作提供别的保护。由于是一款分立安全元件,OPTIGA Trust M MTR可集成到任何基于MCU的设计中,它不仅能够增强安全性,还能同时处理多个产品协议。这为原设备制造商带来了更大的灵活性,加快了产品上市时间。
而三星Galaxy Z Flip6在灵动多变、便捷易用的体验上更进一步,助力用户尽情释放个性与创意表达。依托Galaxy AI与大视野智能外屏、立式自由拍摄系统等标志性体验的创新结合,三星Galaxy Z Flip6为用户在更多生活场景中带来更为新颖、有趣的AI功能与体验。
PI3WVR14412Q 可供峰峰值(Peak-to-Peak) 1.2V 的高速差分信号通过,允许自 0V 至达 3.3V电源轨的共模电压。宽广的电压范围允许 DC 信号耦合,让设计者节省出原本 AC 耦合电容器所需的 PCB 面积。
美台diodes HAL/HAR 3936 提供双芯片型号 HAR 3936-4100,旨在提供经强化的冗余性和可靠性。利用堆叠式芯片架构,该型号通过占据相同的磁位来确保磁信号的同步测量。因此,它可以提供高分辨率的位置测量,并满足现代应用场景的严格精度要求。
美光推出的UFS 4.0 解决方案采用业界领先的紧凑型UFS封装,在降低功耗的同时可提供一流的存储性能。该解决方案凭借突破性的固件升级,使智能手机始终保持出厂时的流畅运行状态,同时通过更强的性能、灵活性和可扩展性,进一步提升了移动存储性能标准,助力智能手机加速普及生成式 AI 功能。
此次发布的三星Galaxy Watch Ultra为追求卓越运动表现而生,采用无表耳系统与缓冲设计的钛金属机身,并支持10ATM防水等级,可通过超高耐用性助力用户超越极限。