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　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
xilinx xdma　　SignalVu 频谱分析仪软件帮助射频 (RF) 工程师和研究人员对 RF 信号进行深入分析，广泛用于无线、军事和政府应用以及微波和物联网领域。作为现代示波器的附加功能，SignalVu 使 MSO/DPO 示波器用户能够全面了解复杂系统，例如雷达、电子战、卫星通讯、MIMO、上行链路/下行链路、网状网络和相控阵系统。
　　TDS4B212MX和TDS4A212MX具有不同的引脚分配。TDS4B212MX的引脚分配针对高频特性进行了优化。TDS4A212MX的引脚分配考量有助于兼容电路板布局。

　　TSZ151的工作电压为 1.8V，可以与低压微控制器等系统中的其他 IC共用电源轨。轨到轨输入和输出有助于限度地提高动态范围。该运算放大器还具有非常低的功耗，在 5V 电压下仅消耗 210μA，而低电源电压特性可以延长电池的续航时间。
　　Power Integrations推出BridgeSwitch-2系列集成半桥(IHB)电机驱动器IC，进一步增强无刷直流电机(BLDC)的软硬件组合解决方案。这些高压器件支持30W至746W（1马力）的电机，并为广泛的应用提供高达99%的逆变器效率，
xilinx xdma　　SC020HGS则是一颗适用于AR/VR类智能穿戴设备的虹膜识别、眨眼检测、眼球追踪、动作识别等面捕功能需求，400×400分辨率下可达240帧。其芯片尺寸仅为1.8毫米x1.8毫米，充分适配微型摄像头模组，极限尺寸2毫米x2毫米，可直接放置在AR眼镜镜框上，功耗同样仅为48.4mW。
　　太空应用是英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器、太空望远镜等，即便在极端恶劣的条件下，这些应用也必须具备出色的可靠性。
推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。

　　该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。
xilinx xdma当发动机打火时或冷车启动时，车载电池电压波动范围可能会很宽。在如此宽范围内对负载电流进行检测是本项目的重点，也是难点。HL8518使用创新的电路设计架构，使得其采集电流的精度不依赖于芯片电源管脚的电压值。当电池电压/芯片电源管脚电压大幅波动时，负载电流检测电路能对这种波动有效脱敏，保障了检测精度。
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
　　新产品采用ROHM的高速负载响应技术“QuiCur”，对负载电流*3波动具有优异的响应特性。因此，即使在输入电压或负载电流波动时，也能实现应用产品所需的稳定工作（输出电压波动100mV以内：负载电流波动0mA500mA Tr/Tf=1μ秒）。